Características Transistor bipolar BJT NPN BC337: Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92-3 Polaridad del transistor: NPN Configuración: Single Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 45 V Tensión VCBO colector-base: 50 V Voltaje VEBO emisor-base: 5 V Voltaje de saturación colector-emisor: 700 mV Corriente CC máxima de colector: 800 mA Dp – Disipación de potencia : 625 mW Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz Temperatura de trabajo mínima: – 55 C Temperatura de trabajo máxima: 150 C Para mayor información favor revisar la pestaña de Descargas donde encontrara el Datasheet.
